МАГНЕТРОНДЫҚ ЫДЫРАТУ ӘДІСІМЕН СИНТЕЗДЕЛГЕН ТИТАН НИТРИДІ ПЛЕНКАЛАРЫНЫҢ ҚҰРЫЛЫМЫ МЕН ҚҰРАМЫ
229 151
Аңдатпа
Мақалада күн элементтерінде диффузиялық тосқауыл ретінде қолданылатын TіN пленкаларының қажетті құрамын алу шарттары айқындалды. Сонымен қатар титан нитриді пленкасының қажетті қалыңдығын алу шарттары анықталды. Алынған титан нитриді пленкасы поликристалдық құрылымға ие екендігі рентгендік дифракция әдісімен айқындалды. Бірқатар эксперименттер нәтижесінде, қажетті 75 нм қалыңдыққа және тығыздыққа (құрамы Ti0,57N0,43) ие титан нитриді пленкасын алу шарттары айқындалды: магнетронға берілетін қуат-690 Вт, Ar – N2 қоспасының қысымы-0,54 Па, азот газының шығыны 0,9 л/сағ, аргон газының шығыны 0,5 л/сағ, пластина температурасы 111 °C, тұндыру ұзақтығы – 320 с.
Әдебиеттер тізімі
В.И. Рудаков, В.Н. Гусев. Расчет профиля распределения концентрации меди в контактной системе TiN/CoSi2/Si при термическом нагреве // Микроэлектроника. 2009. Т.38, №4. С. 309-314.
Rudakov V.I., Gusev V.N. Formation of the TiN/CoSi2 system by rapid thermal annealing of a Co/Ti/Si structure // Russian Microelectronics. 2008. Т. 37. № 4. С. 215-225.
S. Wang, I. Raaijmakers, B.J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar, K. Kim. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si. //J. Appl. Phys. 68 (10). 1990. P. 5176-5187.
H. Miyzaki, K. Hinode, Y. Homma, K. Mukai. Extended Abstracts of 48th Full Meeting. // Jpn. Soc. Appl. Phys., 1987. P. 329.
J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin. 2000. Silicon VLSI Technology. P. 695.
C. Lee, Y-L. Kuo. The evolution of diffusion barriers in copper metallization // JOM. 2007. 1. P. 44-49.
V. Palekis, K. Singh, X. Feng, D. L. Morel and C. S. Ferekides, "Diffusion barriers for CdS/CdTe Solar cells fabricated on flexible substrates," 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2013, pp. 1150-1155, doi: 10.1109/PVSC.2013.6744344.
K.Herz, A.Eicke, F.Kessler. R.Wächter, M.Powalla. Diffusion barriers for CIGS solar cells on metallic substrates // Thin Solid Films Volumes 431–432, 1 May 2003, Pages 392-397
R. H. van Leest, P. Mulder, G. J. Bauhuis, H. Cheun, H. Lee, W. Yoon, R. van der Heijden, E. Bongers, E. Vliega and J. J. Schermera. Metal diffusion barriers for GaAs solar cells // Phys. Chem. Chem. Phys., 2017,19, 7607-7616
N. Awaya and Y. Arita. Selective chemical vapor deposition of copper. Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology. Kyoto. Japan. May 1989. p.103.
R.E. Thomas, K.J. Guo, D.B. Aaron, E.A. Dobisz, J.H. Perepezko, J.D. Wiley. Investigation of amorphous Ni0.60Nb0.40 diffusion barriers // Thin Solid Films. 1987. 150. P. 245-252.
R.E. Thomas, J.H. Perepezko, J.D. Wiley. Crystallization of sputter deposited amorphous metal thin films. // Appl. Surf. Sci., 1986. 26. Iss. 4. P. 534-541.
N.W. Cheung, H. von Seefeld, M-A. Nicolet, Proceedings of the Symposium on Thin Film Interfaces and Interactions. J. E. E. Baglin and J. M. Poate, Eds. The Electrochemical Society. Princeton. 1980. Vol. 80-2. P. 323.
