Mn4Si7 БЕТТІК МОРФОЛОГИЯСЫН ЗЕРТТЕУ

0 1

Аңдатпа

Бұл жұмыста біз қыздыруға дейін және одан кейін жоғары марганец силикидінің қабықшасының беттік морфологиясын зерттедік. Жоғары марганец силикидінің қабықшасының түзілу механизмі зерттелді. Алынған кремний пленкасы Магнетрондардың шашырауы Нәтижесінде SiO2/Si немесе слюда бетінде пайда болды. Сусымалы үлгілердің морфологиясы, құрамы, электрлік және оптикалық қасиеттері Және SiO2/Si құрылымында магнетрондардың шашырауы нәтижесінде Алынған mn4si7 вакуумдық жабындары зерттелді. Қалыңдығы шамамен 150 нм болатын марганец силикидті жабындарының қасиеттері бойынша сусымалы Mn4Si7-ге ұқсас және бір градусқа 20-30 Мв-қа дейінгі жылу сезімталдығымен сипатталатын біртекті ұсақ түйіршікті жартылай өткізгіш құрылымы бар екендігі көрсетілген.. Сонымен қатар, мақалада авторлар магнетронды шашырату арқылы алған жоғары марганецті силикидті қабықшалардың электрофизикалық қасиеттері келтірілген. Қыздырылған Mn4Si7-146 нм қапталған қабықшалар жұқа түйіршіктері бар біртекті құрылымға ие, бұл жабынның жеткілікті тығыздығына байланысты. Mn4si7 нанокластерлері жартылай өткізгіш материалдар болғандықтан, заряд тасымалдаушылар үшін энергетикалық кедергілер осы фазаны бөлетін аморфты фазасы бар нанокластердің интерфейсінде болады деп болжауға болады. Жылу сезімталдығының 0 мв/К-ден 20 МВ/К-ге дейін 800 К-ге дейін жоғарылауы нанокластерлердің реттелуіне байланысты нанокластер-аморфты фазалық интерфейсте заряд тасымалдаушылар үшін энергетикалық кедергілердің жойылуымен түсіндіріледі. Салқындату кезінде 20 мв/К-ден 28 МВ/К-ге дейінгі өзгеріс аморфты фазада құрылымдық релаксацияның пайда болуымен түсіндіріледі.