СТРУКТУРА И СОСТАВ ПЛЕНОК НИТРИДА ТИТАНА, СИНТЕЗИРОВАННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ
229 151
Аннотация
В статье определены условия получения необходимого состава пленок TіN, используемых в качестве диффузионного барьера в солнечных элементах. Также определены условия получения необходимой толщины пленки нитрида титана. Методом рентгеновской дифракции установлено, что полученная пленка нитрида титана имеет поликристаллическую структуру. В результате ряда экспериментов определены условия получения пленки нитрида титана,обладающей требуемой толщиной 75 нм и плотностью (состав Ti0,57N0,43): мощность магнетрона-690 Вт, давление смеси Ar-N2-0,54 Па, расход газа азота 0,9 л/ч, расход газа аргона 0,5 л/ч, температура пластины 111 °C, продолжительность осаждения - 320 с.
Библиографические ссылки
В.И. Рудаков, В.Н. Гусев. Расчет профиля распределения концентрации меди в контактной системе TiN/CoSi2/Si при термическом нагреве // Микроэлектроника. 2009. Т.38, №4. С. 309-314.
Rudakov V.I., Gusev V.N. Formation of the TiN/CoSi2 system by rapid thermal annealing of a Co/Ti/Si structure // Russian Microelectronics. 2008. Т. 37. № 4. С. 215-225.
S. Wang, I. Raaijmakers, B.J. Burrow, S. Suthar, S. Redkar, K. Kim. Reactively sputtered TiN as a diffusion barrier between Cu and Si. //J. Appl. Phys. 68 (10). 1990. P. 5176-5187.
H. Miyzaki, K. Hinode, Y. Homma, K. Mukai. Extended Abstracts of 48th Full Meeting. // Jpn. Soc. Appl. Phys., 1987. P. 329.
J.D. Plummer, M.D. Deal, P.B. Griffin. 2000. Silicon VLSI Technology. P. 695.
C. Lee, Y-L. Kuo. The evolution of diffusion barriers in copper metallization // JOM. 2007. 1. P. 44-49.
V. Palekis, K. Singh, X. Feng, D. L. Morel and C. S. Ferekides, "Diffusion barriers for CdS/CdTe Solar cells fabricated on flexible substrates," 2013 IEEE 39th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2013, pp. 1150-1155, doi: 10.1109/PVSC.2013.6744344.
K.Herz, A.Eicke, F.Kessler. R.Wächter, M.Powalla. Diffusion barriers for CIGS solar cells on metallic substrates // Thin Solid Films Volumes 431–432, 1 May 2003, Pages 392-397
R. H. van Leest, P. Mulder, G. J. Bauhuis, H. Cheun, H. Lee, W. Yoon, R. van der Heijden, E. Bongers, E. Vliega and J. J. Schermera. Metal diffusion barriers for GaAs solar cells // Phys. Chem. Chem. Phys., 2017,19, 7607-7616
N. Awaya and Y. Arita. Selective chemical vapor deposition of copper. Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology. Kyoto. Japan. May 1989. p.103.
R.E. Thomas, K.J. Guo, D.B. Aaron, E.A. Dobisz, J.H. Perepezko, J.D. Wiley. Investigation of amorphous Ni0.60Nb0.40 diffusion barriers // Thin Solid Films. 1987. 150. P. 245-252.
R.E. Thomas, J.H. Perepezko, J.D. Wiley. Crystallization of sputter deposited amorphous metal thin films. // Appl. Surf. Sci., 1986. 26. Iss. 4. P. 534-541.
N.W. Cheung, H. von Seefeld, M-A. Nicolet, Proceedings of the Symposium on Thin Film Interfaces and Interactions. J. E. E. Baglin and J. M. Poate, Eds. The Electrochemical Society. Princeton. 1980. Vol. 80-2. P. 323.
